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Electrodes are made of a transparent conductor called Indium Tin Oxide ( ITO ).
电极制成的透明导体所谓的铟锡氧化物 ( 伊藤 ).
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所得薄膜由平均粒径为25.9nm的具有四方相金红石结构的二氧化锡晶粒组成。
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PPY films were prepared by electro-chemical method onto the indium-tin oxide glass ( ITO ).
以电化方法在ITO 导电玻璃 基体上制备聚合物聚吡咯薄膜.
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将制备的近红外量子点修饰到氟掺杂的氧化锡(FTO)电极上组装成氧气敏感的光电化学传感器。
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Preparation of Indium Tin Oxide ( ITO ) Powders and High-quality ITO Target.
纳米金属氧化物的微结构控制及其应用性能研究.
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用硬脂酸/钛酸四丁酯复合改性剂对掺锑二氧化锡(ATO)纳米粉体进行表面有机化改性处理。
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Reactive Evaporation of Tin with Oxygen and Preparation of Transparent Conductive Films of Tin Oxide
锡与氧的反应蒸发及氧化锡透明导电膜的制备
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分别采用1-丁基-2,3-二甲基咪唑四苯基硼酸盐离子液体的高温热解法和乙二醇为溶剂的溶剂热法制备得到锑和铟掺杂的氧化锡纳米粉体,采用多种测试方法对粉体进行了表征。
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Research on the Preparation and Properties of Silver Tin Oxide Composite Material.
四脚状氧化锌晶须制备及其应用研究.
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纳米级球形In2O3(SnO2)粉末的制备及性能研究
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采用分子膜层层组装的原理,选用亲合素作为DNA固定的第一层介质膜,第二层核酸膜通过层层静电吸附的方法固定到氧化铟锡(ITO)电极表面,制备出核酸传感器界面。
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采用化学气相沉积法在镀有SiO2膜的钠钙硅玻璃基片上制备了Sb掺杂SnO2(antimony-doped Tin Oxide,ATO)薄膜。
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硬脂酸/钛酸四丁酯复合改性剂处理掺锑二氧化锡纳米粉体
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通过在水平管式炉中用石墨还原锑掺杂二氧化锡(ATO)纳米颗粒的方法制备了ATO的实心球和空心球,并用EDX和XRD等技术分析了产物的物相和元素组成;
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掺铝的氧化锌薄膜(AZO)具有性价比高、无污染等特点,是掺锡氧化铟(ITO)的最佳替代产品。
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在岩浆和热液中,锡以锡氢化物、锡合金氢化物迁移至地壳浅部,锡氢化物、锡合金氢化物被氧化成锡氧化物、锡合金矿物,或与硫、硫化氢作用形成锡的硫化矿物。
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Oxygen vacancy domination model for electrical conductivity of polycrystalline tin oxide
氧化锡多晶电导的氧空位控制模型
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利用纳米二氧化锡薄膜表面吸附氧和硫化氢气体的反应式,得出了纳米薄膜元件的灵敏度与硫化氢气体浓度的1/2次方成正比。
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Study on preparation indium tin oxide transparent insulation thin film by dip coating
提拉法制备铟锡氧化物透明隔热薄膜的研究
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Microstructure of Graphite Intercalated Tin Oxide and its Influence on SnO_2 Based Gas Sensors
GIT插层材料微观结构及对SnO2基体气敏性能的影响
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silver tin oxide is the most promising non-toxic material to substitute silver cadmium oxide.
银氧化锡是最有希望代替银氧化镉材料的无毒触头材料。
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用溶胶凝胶法在已镀SiO2膜的钠钙硅玻璃和没有镀SiO2的钠钙硅玻璃基片上镀制了锑掺杂摩尔分数为8.0%的二氧化锡薄膜。
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